Une autonomie d’une semaine sur un smartphone ? Ça ne sera bientôt plus de la science-fiction !

Samsung et IBM ont dévoilé les résultats d’une recherche commune pour fabriquer des processeurs ultra-économes en énergie à base de transistors verticaux… Une innovation aux multiples impacts…

Tout comme Intel travaille sur l’empilement des transistors pour ses futures générations de processeurs à bases de transistors RibbonFET, d’autres acteurs du marché cherchent également des pistes pour rendre les processeurs toujours plus denses, plus compacts et moins énergivores.

Ainsi, Samsung et IBM ont dévoilé cette semaine le résultat de leurs dernières recherches en matière de conception des processeurs. Ils ont ainsi mis au point une nouvelle architecture à base de transistors verticaux ! Dénommée VTFET, pour Vertical Transport Field Effect Transistors, cette architecture ne repose plus sur des transistors à plat sur la surface du semi-conducteur mais sur des transistors placés perpendiculairement à la surface avec un flux électrique vertical.

Ce nouvel agencement des transistors, cette nouvelle façon de ‘graver’ les transistors au cœur du silicone, vise à ouvrir la voie vers une finesse de gravure sous la barre mythique du nanomètre. Mais la première conséquence de cette nouvelle architecture est une consommation moindre. Les chercheurs anticipent en effet une réduction de 85% de la consommation électrique comparée à l’architecture actuelle finFET. Selon eux, cette technologie permettrait de disposer de smartphones avec des batteries offrant une autonomie de plus d’une semaine. En outre, cette technologie permettrait de réaliser des économies substantielles en consommation électrique alors que les traitements lourds comme l’apprentissage IA, le chiffrement de données ou le cryptomining, sont ultraconsommateurs de puissance et donc d’énergie.

« La pénurie mondiale de semi-conducteurs a mis en évidence le rôle critique des investissements dans la recherche et le développement sur les puces et l’importance des puces dans toutes choses, de l’informatique aux outils de communication en passant par les appliances, les systèmes de transport et les infrastructures critiques » explique IBM.

Le processus VTFET prétend repousser les frontières actuelles et apporter une solution pratique aux nombreux obstacles à la performance. Tout comme l’approche RibbonFET d’Intel, ce processus vise lui aussi à prolonger la loi de Moore au-delà de la décennie actuelle en embarquant toujours plus de transistors dans un même espace. « Mais la technologie VTFET influence également les points de contact des transistors, ce qui permet un débit de courant plus important avec moins d’énergie gaspillée » explique le Dr Mukesh Khare, vice-président, Hybrid Cloud and Systems, chez IBM Research. « L’annonce technologique d’aujourd’hui vise à remettre en question les conventions, à repenser la façon dont nous continuons de faire avancer la société et de proposer de nouvelles innovations qui améliorent la vie et le Business tout en réduisant notre impact environnemental ».